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MOS管知識(shí)-MOS集成電路的檢測(cè)注意事項(xiàng)介紹
2020-11-09
MOS管知識(shí)-MOS集成電路的檢測(cè)注意事項(xiàng)介紹MOS集成電路的檢測(cè)注意事項(xiàng)(1)MOS集成電路檢測(cè)的一般注意事項(xiàng)以往在購(gòu)進(jìn)晶體管，二極管等元件時(shí)，
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場(chǎng)效應(yīng)管小知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管高頻電路解析
2020-11-09
場(chǎng)效應(yīng)管小知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管高頻電路解析場(chǎng)效應(yīng)管高頻電路MOS場(chǎng)效應(yīng)管的高頻特性正在逐年提高，它的實(shí)用頻率已擴(kuò)展到甚高頻乃至超高頻段。一般
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MOS管為什么會(huì)炸裂-原因就在這里
2020-11-09
MOS管為什么會(huì)炸裂-原因就在這里MOS管炸裂原因我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。MOS管炸裂原因：開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)
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MOS管工藝-CMOS工藝詳解
2020-11-09
MOS管工藝-CMOS工藝詳解CMOS工藝詳細(xì)解析CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個(gè)襯底上同時(shí)制造出n-溝和p-溝晶體管。在NMOS工藝中
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單場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器圖解析
2020-11-09
單場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器圖解析場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器微弱的信號(hào)經(jīng)過(guò)小信號(hào)放大器(或稱(chēng)前置放大器)逐級(jí)放大后，去控制某些執(zhí)行機(jī)構(gòu)，如喇叭、繼電
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解析雙場(chǎng)效應(yīng)管推挽功率放大器知識(shí)圖解
2020-11-09
解析雙場(chǎng)效應(yīng)管推挽功率放大器知識(shí)圖解雙場(chǎng)效應(yīng)管推挽功率放大器由于單場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器存在效率低、輸出功率小等缺點(diǎn)，所以我們必須在提
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高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用指南詳情解析
2020-11-09
高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用指南詳情解析高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用指南高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用：雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管有著相同的工作原理。從根本上說(shuō),，兩種類(lèi)型晶
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MOS管知識(shí)-MOS管電容特性分析
2020-11-07
MOS管知識(shí)-MOS管電容特性分析MOS管電容特性-動(dòng)態(tài)特性從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小由功率管的結(jié)構(gòu),材料和所加的電壓
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MOS管知識(shí)-硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析
2020-11-07
MOS管知識(shí)-硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析硅柵MOS結(jié)構(gòu)：在MOS-IC的早期產(chǎn)品中,廣泛使用金屬AI作為柵極。例如上世紀(jì)60年代中期第一
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本放大器工作原理解析
2020-11-07
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本放大器工作原理解析結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本放大器工作原理我們知道,根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有N溝道和P溝道之分。因此，
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解析MOS晶體管的最高頻率知識(shí)分析
2020-11-07
解析MOS晶體管的最高頻率知識(shí)分析MOS晶體管的最高頻率MOS晶體管在工作頻率增高到一定值以后,它的特性就將隨著頻率的增高而變壞。MOS管的最
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CMOS知識(shí)介紹-解析CMOS電路中的阱
2020-11-07
CMOS知識(shí)介紹-解析CMOS電路中的阱CMOS電路中的阱在CMOS電路的工藝結(jié)構(gòu)中,應(yīng)用在襯底上形成反型的阱是一大特點(diǎn)。已有的多種CMOS電路阱的類(lèi)別