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雙極晶體管的靜態(tài)工作特性介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2024-08-24 17:46:51
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雙極晶體管的靜態(tài)工作特性介紹
雙極晶體管的靜態(tài)工作特性是指它在特定接法中的輸入特性,輸出特性和電流增益特性。
一個(gè)晶體管共基極,共發(fā)射極和共繼點(diǎn)擊三種接法,因而有三組工作熱性曲線來(lái)完整地描述其工作性能,由于晶體管的工作特性是其內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn),起作用的因素很多,因而分散性較大,即便是型號(hào)相同的管子也會(huì)有較大差別。下面對(duì)三種工作特性進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明(曲線僅供參考,在實(shí)際的應(yīng)用中還需要進(jìn)行測(cè)量)
1.共基極特性
PNP晶體管的一組典型共基極特性曲線和測(cè)試電路圖
雙極晶體管靜態(tài)工作
這里輸出特性是指以集電結(jié)電壓UCB=0時(shí),該特性即是發(fā)射結(jié)的正向伏安特性,UCB等于等值的時(shí)候,由于集電結(jié)空間電荷區(qū)的展寬使中性基區(qū)變窄,因而相同UEB對(duì)應(yīng)的IE值升高,即輸入特性曲線隨著參量的升高向左移動(dòng)。
輸出特性是指集電極為為參變量的IC-UBC的關(guān)系。當(dāng)IE=0時(shí),該特性就是集電極結(jié)的反向伏安特性。在集電結(jié)上有不超過其偏移電壓值(對(duì)硅管為0.7V左右)的正偏壓時(shí),若IE≠0,則IC≠0,這就是集電內(nèi)建電廠抽取正偏發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少數(shù)載流子造成的,因而在注入未停之時(shí),只有用外加正偏壓抵消內(nèi)建電廠才能使用IC=0。電流增益特性又叫正向轉(zhuǎn)移特性,是以UCB為參量的IC-IE關(guān)系。該特性既可直接測(cè)出亦可以從輸出特性推算。
2.共發(fā)射極特性
舉例PNP晶體管共發(fā)射極特性曲線和測(cè)試電路:
雙極晶體管靜態(tài)工作
電路中,輸入特性是指以整個(gè)晶體管上的壓降,即集電極發(fā)射極電壓UCE為參變量時(shí),基極電流IB與發(fā)射結(jié)電壓UBE的關(guān)系。當(dāng)UCE=0時(shí),該特性相當(dāng)于組成晶體管的兩個(gè)PN結(jié)并聯(lián)起來(lái)的正向伏安特性。由于IB僅是通過正偏發(fā)射結(jié)的電流的一部分。因此當(dāng)UCE升高,歲IC部分變大,IB會(huì)減小,就是輸入特性曲線隨UCE升高而向右移。但是當(dāng)UCE>1V左右之后,反偏集電結(jié)的分壓比越來(lái)越大,由發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少數(shù)載流子絕大部分被集電結(jié)抽走,IC的增量很小,曲線大體重合。
輸出特性是指以IB為參變量的IC-UCE關(guān)系,由于UCE是兩個(gè)PN結(jié)上的電壓之和,IC的大小在很大程度上決定于UCE在兩個(gè)結(jié)上的分配情況。當(dāng)UCE較小時(shí),例如小于1V時(shí),如果UBE也很小,則UCE的作用將首先是提高發(fā)射結(jié)的正偏壓,使IE隨著UCE的提高而迅速增加。如果UBE已足夠大,則UCE的作用將首先是抵消UBE對(duì)集電結(jié)的正向偏置。在其中建立起能從基區(qū)抽取少數(shù)載流子的反向電場(chǎng),UCE的增加能明顯改善集電極的收集能力。但是在發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的都已進(jìn)入正常工作狀態(tài)之后,UCE將主要降落在集電結(jié)上,電流增益特性是以UCE為參變量的IC-IB關(guān)系,可以直接測(cè)量,也可以根據(jù)輸出特性推算。
3.共集電極特性
(PNP晶體管的共集電極特性測(cè)試電路及輸入特性曲線)
雙極晶體管靜態(tài)工作
以集電極作為晶體管的兩個(gè)偏置電路的公共端的的接法叫共集電極接法,相應(yīng)的晶體管工作特性叫共集電極特性。其輸出特性和電流增益特性與共發(fā)射極接法中的這兩大特性非常相近,因?yàn)橐粋€(gè)晶體管IE和IC近似相等。而共集電極輸出特性是指IB為參變量的IE-UCE關(guān)系,增益特性是以UCE為參變量的IE-IB關(guān)系。但是共集電極接法中的輸入特性與共集電極接法和共發(fā)射接法的輸入都不相同。這里輸入特性定義以UCE為參變量的IB-UCB關(guān)系。由UCE=UCE-UBE,由此式克制,輸入電壓UCB升高會(huì)引起UBE下降,因此IB下降且幅度很大,當(dāng)UBE下降到發(fā)射結(jié)的偏移電壓值時(shí),IB因IE接近于零而歸零。
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