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MOSFET搭建電源緩啟動(dòng)電路解析
  • 發(fā)布時(shí)間:2023-05-08 15:15:35
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MOSFET搭建電源緩啟動(dòng)電路解析
電源在進(jìn)行插拔時(shí),會(huì)有如下兩種情況出現(xiàn):
1、電源連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳;
2、由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng),系統(tǒng)中會(huì)出現(xiàn)很大的沖擊電流
上述兩種情況可能會(huì)引起連接器打火,引發(fā)火災(zāi);也可能會(huì)引起系統(tǒng)電源跌落,導(dǎo)致誤碼或系統(tǒng)重啟。
MOS管
MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds低和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的特點(diǎn),利用其米勒效應(yīng),在電路設(shè)計(jì)中可以設(shè)計(jì)電源緩啟動(dòng)電路(通常情況下,在正電源中用PMOS,在負(fù)電源中使用NMOS),可以實(shí)現(xiàn)防抖動(dòng)延時(shí)上電、控制輸入電流的上升斜率和幅值等功能,提高電源穩(wěn)定性。
電源緩啟動(dòng)電路分析
下圖是用 NMOS 搭建的一個(gè) -48V 電源緩啟動(dòng)電路:
MOS管 電源緩啟動(dòng)電路
1)D1是嵌位二極管,防止輸入電壓過大損壞后級(jí)電路;
2)R2和C1的作用是實(shí)現(xiàn)防抖動(dòng)延時(shí)功能;
3)R1的作用是給C1提供一個(gè)快速放電通道,要求R1的分壓值大于D3的穩(wěn)壓值;
4)R3和C2用來控制上電電流的上升斜率;
5)R4和R5的作用是防止MOS管自激振蕩,要求R4、R5<<R3;
6)嵌位二極管D3的作用是保護(hù)MOS管Q1的柵-源極不被高壓擊穿;
D2的作用是在MOS管導(dǎo)通后對(duì)R2、C1構(gòu)成的防抖動(dòng)延時(shí)電路和R3、C2構(gòu)成的上電斜率控制電路進(jìn)行隔離,防止MOS柵極充電過程受C1的影響。
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