場效應(yīng)管
本文內(nèi)容主講場效應(yīng)管注意事項(xiàng)，先來看看場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。
由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
場效應(yīng)管注意事項(xiàng)
場效應(yīng)管注意事項(xiàng)如下：
（1）為了安全運(yùn)用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超越管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。
（2）各類型場效應(yīng)管在運(yùn)用時，都要嚴(yán)厲按懇求的偏置接人電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。
（3）MOS場效應(yīng)管由于輸人阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必需將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。特別要留意，不能將MOS場效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi)，保管時最好放在金屬盒內(nèi)，同時也要留意管的防潮。
（4）為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，懇求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必需有良好的接地;管腳在焊接時，先焊源極;在連入電路之前，管的全部引線端堅(jiān)持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時，應(yīng)以恰當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然，假設(shè)能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較便當(dāng)?shù)?，并且確保安全;在未關(guān)斷電源時，絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在運(yùn)用場效應(yīng)管時必需留意。
（5）在安裝場效應(yīng)管時，留意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處中止，以防止彎斷管腳和惹起漏氣等。關(guān)于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。由于功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必需設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超越額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。
場效應(yīng)管的優(yōu)勢
看完場效應(yīng)管注意事項(xiàng)，現(xiàn)來看看場效應(yīng)管的優(yōu)勢有哪些？場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。
有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。
場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
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