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驅(qū)動原理

對于雙極晶體管，要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。要使MOS管導(dǎo)通，必須對柵極施加高于額定柵極閾值電壓Vth的電壓。

MOS管的柵極是一層二氧化硅，由于與源極隔離，向柵極端子施加直流電壓理論上不會在柵極中產(chǎn)生電流（在柵極充電和放電的瞬態(tài)產(chǎn)生的電流除外）。實踐中，柵極中會產(chǎn)生幾納安的微弱電流。

雙極晶體管（左）及MOS管的驅(qū)動比較

在柵極端子和源極端子之間施加電壓時，MOS管在漏極中產(chǎn)生電流。當(dāng)處于穩(wěn)態(tài)開啟或關(guān)斷狀態(tài)時，MOS管柵極驅(qū)動基本無功耗。

當(dāng)柵極端子和源極端子之間無電壓時，由于漏源極阻抗極高，因此漏極中除泄漏電流之外無電流。通過驅(qū)動器輸出看到的MOS管，柵源電容根據(jù)其內(nèi)部狀態(tài)而有所不同。

驅(qū)動過程

工作中，可將MOS管的柵極視為電容。除非對柵極輸入電容充電，否則MOS管的柵極電壓不會增大，而且在柵極電壓達(dá)到柵極閾值電壓Vth之前，MOS管不會開通。

MOS管的柵極閾值電壓Vth是在其源極和漏極區(qū)域之間產(chǎn)生傳導(dǎo)通道所需的最小柵偏壓。

考慮驅(qū)動電路和驅(qū)動電流時，MOS管的柵極電荷Qg比其電容更加重要。

MOS管開啟期間，電流流到其柵極，對柵源電容和柵漏電容充電。對柵極端子施加恒定電流時，可將時間乘以恒定柵電流IG，以柵極電荷Qg表示時間軸。

對MOS管施加電壓時，其柵極開始積累電荷。將MOS管連接到電感負(fù)載時，它會影響與MOS管并聯(lián)的二極管中的反向恢復(fù)電流以及MOS管柵極電壓。

在t0-t1時間段內(nèi)，柵極驅(qū)動電路通過柵極串聯(lián)電阻器R對柵源電容Cgs和柵漏電容Cgd充電，直到柵極電壓達(dá)到其閾值Vth。

在t1-t2期間，VGS超過Vth，導(dǎo)致漏極中產(chǎn)生電流，最終成為主電流。在此期間，繼續(xù)對Cgs和Cg充電。柵極電壓上升時，漏極電流增大。在t2，柵極電壓達(dá)到米勒電壓。在t0-t1期間，延遲時間t2和R(Cgs＋Cgd)成正比。由于在此期間有漏極電流流過，MOS管會出現(xiàn)功率損耗。

MOS管柵極充電電路和波形

在t2-t3期間，VGS(pl)電壓處的VGS受米勒效應(yīng)影響保持恒定。柵極電壓保持恒定。由于在此期間柵極電壓保持恒定，因此驅(qū)動電流流向Cgd而非Cgs。由于在此期間漏極電壓持續(xù)降低，而漏極電流保持恒定，因此MOS管會發(fā)生功率損耗。

在t3-t4期間，向柵極充電使其達(dá)到過飽和狀態(tài)。對Cgs和Cgd充電，直到柵極電壓（VGS）達(dá)到柵極供電電壓。由于開通瞬態(tài)已經(jīng)消失，在此期間MOS管不會出現(xiàn)開關(guān)損耗。

MOS管柵極驅(qū)動功率

實際上，MOS管柵極驅(qū)動電路也有功耗，只是相較雙極晶體管這些功耗很小，而且這些功耗隨著頻率成比例地增大。從驅(qū)動電源供應(yīng)的能量減去在柵極中積累的能量，可以得出柵極電阻器消耗的能量。

MOS管柵極驅(qū)動功耗

在MOS管關(guān)斷期間，在柵極中積累的能量就是柵極電阻器消耗的能量。對于每個開關(guān)事件，所消耗的能量等于驅(qū)動電路供應(yīng)的能量。

由于開關(guān)電源應(yīng)用非常普及，用于開關(guān)應(yīng)用（負(fù)載開關(guān)）的MOS管的需求越來越多。由于能夠降低電子器件及電子線路的總體功耗，MOS管也應(yīng)用在很多其他應(yīng)用中，并通過邏輯電路或微控制器直接驅(qū)動MOS管，例如馬達(dá)控制、繼電器和LED照明等。
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