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  • pmos管的工作原理-nmos與pmos的特點-區(qū)別與應用
    • 發(fā)布時間:2019-09-26 11:12:47
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    P溝MOS晶體管
    金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類,P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
    pmos管
    P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術。
    PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內(nèi)應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。
    什么是PMOS
    PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。
    P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術。
    PMOS工作原理
    PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底,其中的多數(shù)載流子是空穴,少數(shù)載流子是電子,源漏區(qū)的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負電荷的數(shù)量。
    當達到強反型時,在相對于源端為負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經(jīng)過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電流的數(shù)值越大。
    PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底,其中的多數(shù)載流子是空穴,少數(shù)載流子是電子,源漏區(qū)的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負電荷的數(shù)量。當達到強反型時,在相對于源端為負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經(jīng)過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電流的數(shù)值越大。
    與NMOS一樣,導通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū),臨界飽和點和飽和區(qū)。當然,不論NMOS還是PMOS,當未形成反型溝道時,都處于截止區(qū),其電壓條件是
    VGS
    VGS>VTP (PMOS)
    值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是負值。
    PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內(nèi)應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。
    MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規(guī)模大的集成電路。
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